現貨推薦
recommended
聯系電話
recommended
聯系人：楊小姐
電 話：0755-23481161
傳 真：0755-23488441
地 址：深圳市福田區彩田南路2010號中深花園A棟六層608
技術說明
發布時間：2021-11-02 欄目行業：常見問題 瀏覽次數：
Q:技術說明
A:將電阻 (R1) 連接到該器件的輸入時，輸入電壓僅通過 [器件的消耗電流] x [電阻值]來降低。
并且，當從檢測狀態變為釋放狀態時發生交叉傳導電流*1，僅通過 [交叉傳導電流] x [電阻值] 降低輸入電壓。如果輸入電壓降低大于檢測器電壓和釋放電壓之間的差值，則該器件將進入重新檢測狀態 。
當輸入電阻值大并且VDD在釋放電壓附近穩定上升時，重復上述操作可能導致輸出的發生。
如圖A / B所示，將R1設置為100 kΩ或更低，并將0.1 μF以上的CIN連接到輸入引腳和GND之間。
此外，使用這樣的評估板，在實際使用條件下進行包括溫度特性的評估。 可確保交叉傳導電流沒有問題。
*1)在CMOS輸出類型中，包括OUT引腳的充電電流
*2)注意電容器的偏置依賴性
電壓檢測器（復位芯片）
標簽：
